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IMB10AT110
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ROHM羅姆半導體完整型號: IMB10AT110

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

系列: -

晶體管類型: 2 個 PNP 預偏壓式(雙)

電流 - 集電極(Ic)(最大值): 100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值): 50V

電阻器 - 基底(R1)(歐姆): 2.2k

電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆): 47k

不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值): 80 @ 10mA,5V

不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值): 300mV @ 250μA,5mA

電流 - 集電極截止(最大值): 500nA

頻率 - 躍遷: 250MHz

功率 - 最大值: 300mW

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: SC-74,SOT-457

供應商器件封裝: SMT6


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