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IR公司完整型號：IRF6607TR1

制造廠家名稱：International Rectifier

描述：MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

系列：HEXFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：27A（Ta），94A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3.3 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：75nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：6930pF @ 15V

功率 - 最大值：3.6W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：DirectFET 等容 MT

供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET MT