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IXYS公司完整型號：IXFN20N120

制造廠家名稱：IXYS

描述：MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

系列：HiPerFET?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：20A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：750 毫歐 @ 500mA，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 8mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：160nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：7400pF @ 25V

功率 - 最大值：780W

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC

供應(yīng)商器件封裝：SOT-227B