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IXYS公司完整型號(hào)：IXFN82N60Q3

制造廠家名稱：IXYS

描述：MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227

系列：HiPerFET?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：66A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：75 毫歐 @ 41A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：6.5V @ 8mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：275nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：13500pF @ 25V

功率 - 最大值：960W

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC

供應(yīng)商器件封裝：SOT-227B