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IXFT12N100Q
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IXYS公司完整型號:IXFT12N100Q

制造廠家名稱:IXYS

描述:MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

系列:HiPerFET?

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):1000V(1kV)

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):12A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):1.05 歐姆 @ 6A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 4mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):90nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2900pF @ 25V

功率 - 最大值:300W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-268-3,D3Pak(2 引線+接片),TO-268AA

供應(yīng)商器件封裝:TO-268


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