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Infineon英飛凌公司完整型號(hào)：BSP149 L6327

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

系列：SIPMOS

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：耗盡模式

漏源極電壓 (Vdss)：200V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：660mA（Ta）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：1.8 歐姆 @ 660mA，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 400μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：14nC @ 5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：430pF @ 25V

功率 - 最大值：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應(yīng)商器件封裝：PG-SOT223-4