- 產品型號：BSZ120P03NS3 G
- 制 造 商：Infineon（英飛凌）
- 出廠封裝：PG-TSDSON-8
- 功能類別：單端場效應管
- 功能描述：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
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Infineon英飛凌公司完整型號：BSZ120P03NS3 G
制造廠家名稱：Infineon Technologies
描述：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
系列：OptiMOS?
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：11A（Ta），40A（Tc）
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：12 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 73μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：45nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3360pF @ 15V
功率 - 最大值：2.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerTDFN
供應商器件封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
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