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IPA60R299CP
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Infineon英飛凌公司完整型號:IPA60R299CP

制造廠家名稱:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3

系列:CoolMOS?

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):11A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):299 毫歐 @ 6.6A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 440μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):29nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1100pF @ 100V

功率 - 最大值:33W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-220-3 整包

供應商器件封裝:PG-TO-220-FP


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