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Infineon英飛凌公司完整型號: IPA65R650CEXKSA1

制造廠家名稱: Infineon Technologies

功能總體簡述: MOSFET N-CH 650V TO-220-3

系列: CoolMOS CE

FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 標準

漏源極電壓（Vdss）: 650V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）: 7A（Tc）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 650 毫歐 @ 2.1A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 210μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 23nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 440pF @ 100V

功率 - 最大值: 28W

安裝類型: 通孔

封裝/外殼: TO-220-3 整包

供應商器件封裝: TO-220 整包