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Infineon英飛凌公司完整型號: IPB017N08N5ATMA1

制造廠家名稱: Infineon Technologies

功能總體簡述: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

系列: OptiMOS?

FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 標準

漏源極電壓（Vdss）: 80V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）: 120A（Tc）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 1.7 毫歐 @ 100A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 3.8V @ 280μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 223nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 16900pF @ 40V

功率 - 最大值: 375W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商器件封裝: PG-TO263-3