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IPB180P04P4L02ATMA1
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Infineon英飛凌公司完整型號: IPB180P04P4L02ATMA1

制造廠家名稱: Infineon Technologies

功能總體簡述: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

系列: OptiMOS?

FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 邏輯電平門

漏源極電壓(Vdss): 40V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 180A(Tc)

不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 2.4 毫歐 @ 100A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 410μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 286nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 18700pF @ 25V

功率 - 最大值: 150W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片),TO-263CB

供應(yīng)商器件封裝: PG-TO263-7-3


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