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Infineon英飛凌公司完整型號：IPB65R099C6ATMA1

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 650V 38A TO263

系列：CoolMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：650V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：38A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：99 毫歐 @ 12.8A， 10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1.2mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：127nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：2780pF @ 100V

功率 - 最大值：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263