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IPG20N06S4L26ATMA1
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Infineon英飛凌公司完整型號: IPG20N06S4L26ATMA1

制造廠家名稱: Infineon Technologies

功能總體簡述: MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8

系列: OptiMOS?

FET 類型: 2 個 N 溝道(雙)

FET 功能: 邏輯電平門

漏源極電壓(Vdss): 60V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時): 20A

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值): 26 毫歐 @ 17A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 10μA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 20nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 1430pF @ 25V

功率 - 最大值: 33W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: 8-PowerVDFN

供應商器件封裝: PG-TDSON-8-4(5.15x6.15)


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