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PEMD18,115
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NXP恩智浦完整型號:PEMD18,115

制造廠家名稱:NXP Semiconductors

描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

系列:-

晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基底 (R1) (Ω):4.7k

電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω):10k

不同 Ic、Vce 時的 DC 電流增益 (hFE)(最小值):50 @ 10mA,5V

不同 Ib、Ic 時的 Vce 飽和值(最大值):100mV @ 500μA,10mA

電流 - 集電極截止(最大值):1μA

頻率 - 躍遷:-

功率 - 最大值:300mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:SOT-563,SOT-666

供應商器件封裝:SOT-666


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