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NXP恩智浦完整型號：PHD18NQ10T,118

制造廠家名稱：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 100V 18A DPAK

系列：TrenchMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：18A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：90 毫歐 @ 9A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：21nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：633pF @ 25V

功率 - 最大值：79W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商器件封裝：DPAK