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NXP恩智浦完整型號：PHKD13N03LT,118

制造廠家名稱：NXP Semiconductors

描述：MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC

系列：TrenchMOS?

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：10.4A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：20 毫歐 @ 8A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：10.7nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：752pF @ 15V

功率 - 最大值：3.57W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商器件封裝：8-SO