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PSMN6R3-120ESQ
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NXP恩智浦完整型號:PSMN6R3-120ESQ

制造廠家名稱:NXP Semiconductors

描述:MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):120V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):70A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):6.7 毫歐 @ 25A, 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):207.1nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):11384pF @ 60V

功率 - 最大值:405W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

供應(yīng)商器件封裝:TO-262-3


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