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NDD60N745U1T4G
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào): NDD60N745U1T4G

制造廠家名稱: ON Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET N-CH 600V 6.8A DPAK-3

系列: -

FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓(Vdss): 600V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 6.6A(Tc)

不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 745 毫歐 @ 3.25A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 15nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 440pF @ 50V

功率 - 最大值: 84W

安裝類型: *

封裝/外殼: *

供應(yīng)商器件封裝: *


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