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NGTB30N65IHL2WG
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ON安森美半導體完整型號: NGTB30N65IHL2WG

制造廠家名稱: ON Semiconductor

功能總體簡述: IGBT 600V 70A 300W TO247

系列: -

IGBT 類型: 溝道和場截止

電壓 - 集射極擊穿(最大值): 650V

電流 - 集電極(Ic)(最大值): 60A

脈沖電流 - 集電極 (Icm): 120A

不同 Vge,Ic 時的 Vce(on): 2.2V @ 15V,30A

功率 - 最大值: 300W

開關能量: 200μJ(關)

輸入類型: 標準

柵極電荷: 135nC

25°C 時 Td(開/關)值: -/145ns

測試條件: 400V,30A,10 歐姆,15V

反向恢復時間(trr): 430ns

封裝/外殼: TO-247-3

安裝類型: 表面貼裝

供應商器件封裝: TO-247-3


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