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NSVBA114EDXV6T1G
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ON安森美半導體完整型號: NSVBA114EDXV6T1G

制造廠家名稱: ON Semiconductor

功能總體簡述: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

系列: -

晶體管類型: 2 個 PNP 預偏壓式(雙)

電流 - 集電極(Ic)(最大值): 100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值): 50V

電阻器 - 基底(R1)(歐姆): 10k

電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆): 10k

不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值): 35 @ 5mA,10V

不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值): 250mV @ 300μA,10mA

電流 - 集電極截止(最大值): 500nA

頻率 - 躍遷: -

功率 - 最大值: 500mW

安裝類型: *

封裝/外殼: *

供應商器件封裝: *


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