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STL19N65M5
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ST意法半導體公司完整型號:STL19N65M5

制造廠家名稱:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 650V 12.5A POWERFLAT

系列:MDmesh V

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):650V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):2.3A(Ta),12.5A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):240 毫歐 @ 7.5A, 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):31nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1240pF @ 100V

功率 - 最大值:2.8W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:4-PowerFlat HV

供應商器件封裝:PowerFlat (8x8) HV


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