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TI德州儀器公司完整型號(hào)：CSD17309Q3

制造廠家名稱：Texas Instruments

描述：MOSFET N-CH 30V 60A 8SON

系列：NexFET?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：20A（Ta），60A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：5.4 毫歐 @ 18A，8V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.7V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：10nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1440pF @ 15V

功率 - 最大值：2.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤

供應(yīng)商器件封裝：8-SON