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東芝半導體公司完整型號：GT10J312(Q)

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：IGBT 600V 10A 60W TO220SM

系列：-

IGBT 類型：-

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：10A

Current - Collector Pulsed (Icm)：20A

不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.7V @ 15V，10A

功率 - 最大值：60W

Switching Energy：-

輸入類型：標準

Gate Charge：-

25°C 時 Td（開/關）值：400ns/400ns

Test Condition：300V， 10A， 100 歐姆， 15V

反向恢復時間 (trr)：200ns

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

安裝類型：表面貼裝

供應商器件封裝：TO-220SM