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東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào)：SSM6J212FE(TE85L,F

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P-CH 20V 4A ES6

系列：-

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動(dòng)

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：4A（Ta）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：40.7 毫歐 @ 3A，4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：14.1nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：970pF @ 10V

功率 - 最大值：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應(yīng)商器件封裝：ES6（1.6x1.6）