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東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào): SSM6K217FE,LF

制造廠家名稱: Toshiba Semiconductor and Storage

功能總體簡述: MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6

系列: -

FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng)

漏源極電壓（Vdss）: 40V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 1.8A（Ta）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）: 195 毫歐 @ 1A，8V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: 1.2V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: 1.1nC @ 4.2V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 130pF @ 10V

功率 - 最大值: 500mW

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: SOT-563，SOT-666

供應(yīng)商器件封裝: ES6