- 產品型號：SSM6N55NU,LF(T
- 制 造 商：東芝半導體（Toshiba）
- 出廠封裝：6-μDFN
- 功能類別：場效應管陣列
- 功能描述：MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
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東芝半導體公司完整型號：SSM6N55NU,LF(T
制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage
描述：MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
系列：-
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：4A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：46 毫歐 @ 4A， 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：2.5nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：280pF @ 15V
功率 - 最大值：1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-WDFN 裸露焊盤
供應商器件封裝：6-μDFN（2x2）
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