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東芝半導(dǎo)體公司完整型號：TPC8012-H(TE12L,Q)

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：200V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：1.8A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：400 毫歐 @ 900mA，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：11nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：440pF @ 10V

功率 - 最大值：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）