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TPCC8A01-H(TE12LQM
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東芝半導(dǎo)體公司完整型號:TPCC8A01-H(TE12LQM

制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):21A(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):9.9 毫歐 @ 10.5A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):20nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1900pF @ 10V

功率 - 最大值:30W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤

供應(yīng)商器件封裝:8-TSON


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