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東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào)：TPN2010FNH,L1Q

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：250V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：5.6A（Ta）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：198 毫歐 @ 2.8A， 10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 200μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：7nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：600pF @ 100V

功率 - 最大值：39W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerVDFN

供應(yīng)商器件封裝：8-TSON高級(jí)