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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào)：SI1065X-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

系列：TrenchFET

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：12V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：-

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：156 毫歐 @ 1.18A, 4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：10.8nC @ 5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：480pF @ 6V

功率 - 最大值：236mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應(yīng)商器件封裝：SC-89-6