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SI3460DV-T1-E3
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SI3460DV-T1-E3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP

系列:TrenchFET

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):5.1A(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):27 毫歐 @ 5.1A,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):450mV @ 1mA(最小)

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):20nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-

功率 - 最大值:1.1W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6

供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP


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