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SI5475DC-T1-GE3
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SI5475DC-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8

系列:TrenchFET

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):12V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):5.5A(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):31 毫歐 @ 5.5A,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):450mV @ 1mA(最小)

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):29nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-

功率 - 最大值:1.3W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SMD,扁平引線

供應(yīng)商器件封裝:1206-8 ChipFET


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