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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號：SI9926BDY-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

系列：TrenchFET

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：6.2A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：20 毫歐 @ 8.2A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：20nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：1.14W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：8-SO