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Vishay威世半導體原廠型號：SIB419DK-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6

系列：TrenchFET

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：12V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：9A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：60 毫歐 @ 5.2A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：11.82nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：562pF @ 6V

功率 - 最大值：13.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK SC-75-6L

供應商器件封裝：PowerPAK SC-75-6L 單