日本极品少妇粉嫩小穴-日本经典黄色福利片-日本精良 久久久久-日本精品免费-日本精品人妻少妇人人搞人人爽-日本精品人妻无码八区九区

SIHB23N60E-GE3 >>> Vishay芯片，深圳市諾森半導電子有限公司提供Vishay公司SIHB23N60E-GE3報價、現貨供應、功能介紹、技術資料下載，想實時獲取此顆IC的全球現貨庫存數量及實時價格嗎？那就馬上與我們聯系吧！

采購SIHB23N60E-GE3？不再猶豫，找我們沒錯！對有長期需求的制造商，提供免費樣品！從前期的產品試產到大批量生產，我們將提供性價比最高的現貨供應服務！

Vishay威世半導體原廠型號：SIHB23N60E-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：600V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：23A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：158 毫歐 @ 12A， 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：95nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2418pF @ 100V

功率 - 最大值：227W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商器件封裝：D2PAK （TO-263）