- 產品型號：SIHB28N60EF-GE3
- 制 造 商：Vishay（威世半導體）
- 出廠封裝：D2PAK
- 功能類別：單端場效應管
- 功能描述：MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
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Vishay威世半導體原廠型號：SIHB28N60EF-GE3
制造商：Vishay Siliconix
描述：MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
系列：-
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：600V
電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：28A（Tc）
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：123 毫歐 @ 14A， 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：120nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2714pF @ 100V
功率 - 最大值：250W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝：D2PAK
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