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SIS452DN-T1-GE3
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SIS452DN-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK

系列:TrenchFET

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):12V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):35A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3.25 毫歐 @ 20A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):41nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1700pF @ 6V

功率 - 最大值:52W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:PowerPAK 1212-8

供應(yīng)商器件封裝:PowerPAK 1212-8


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